УДК 621.315.592

    ВПЛИВ ТЕРМІЧНОГО ВІДПАЛУ НА ФОРМУВАННЯ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ CDSE1-XTEX З ГЕКСАГОНАЛЬНОЮ СТРУКТУРОЮ / Г. Ільчук та ін. //Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. № 2(145).-Кременчук: КрНУ імені Михайла Остроградського.,2024.-c.79-85; Бібліогр.: 19 назв.Досліджено синтез плівок твердого розчину CdSe1-xTex методом ВЧ магнетронного розпилення на скляних підкладках. Використано термічний відпал після напилення в атмосфері CdCl2. Рентгенівський аналіз показав утворення твердого розчину CdSe1-xTex з кристалічною структурою плівок, що належить до гексагонального типу з просторовою групою P63mc, а також наявність в невеликій кількості CdTe кубічної структури. Аналіз експериментальних рентгенограм показав збільшення розміру кристалітів та зменшення щільності порівняно з невідпаленими зразками, що свідчить про переорієнтацію кристалічної структури.
Напівпровідники
62(06)

УДК 621.315.592

    Вплив технологічних чинників на якість приладових структур / О. Небеснюк, А. Ніконова, Д. Алексієвський, З. Ніконова //Технічні науки та технології: науковий журнал.-Чернігів: Чернігівський національний технологічний університет.,2024.-№1 (35).-c.75-80.- Бібл.: 9 назв.Застосування методу інтерферометрії дало можливість суттєво доповнити та уточнити інформацію про морфологію, характер дефектів нарощених шарів епітаксійних композицій (ЕК), виявлених методами вибіркового травлення за допомогою металографічного мікроскопа. Порівняльним дослідженням ступеня дефектності пластин після кожного з етапів їх виготовлення встановлено, при яких операціях технологічного процесу утворюються конкретні види дефектів.
Напівпровідники
621.315.592

УДК 612.315.592

    УДОСКОНАЛЕННЯ МАТЕМАТИЧНОЇ МОДЕЛІ ВЗАЄМОДІЇ ГАЗОВИХ СУМІШЕЙ ІЗ ПОРУВАТИМИ ПЛІВКАМИ ДЛЯ СЕНСОРІВ ГАЗУ / М. Когдась та ін. //Вісник КрНУ імені Михайла Остроградського. № 4(141).-Кременчук: КрНУ імені Михайла Остроградського.,2023.-c.146-152; Бібліогр.: 11 назв.Удосконалено математичну модель, за допомогою якої визначається залежність взаємодії газових сумішей із поруватою поверхнею поруватих напівпровідників для сенсорів газу залежно від параметрів процесу анодування.
Напівпровідники
62(06)

УДК 621.315.592

   МИХАЛЕВСЬКИЙ Д. ОЦІНЮВАННЯ НАДІЙНОСТІ ВИРОБІВ ЕЛЕКТРОННОЇ ТЕХНІКИ ЗА РІВНЕМ НИЗЬКОЧАСТОТНИХ ШУМІВ / Д. МИХАЛЕВСЬКИЙ, О. СТАЛЬЧЕНКО //Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. № 2( 74).-Хмельницький: Хмельницький національний університет.,2023.-c.100-104; Бібліогр.:8 назв.Отримано узагальнений аналітичний вираз для випадкового процесу функції надійності ВЕТ який пов’язує середньоквадратичне значення шумової напруги, границі придатності та інтервал напрацювання на відмову. Встановлено, що рівень власних шумів з часом зростає за законом близьким до лінійного, і випадковий процес зміни інформативного параметра в часі є близьким до моделі лінійної регресії, Це також має місце і для деградації внутрішньої структури.
Напівпровідники
62(06)

УДК 519.6:001.5

   ЛЕВКІН Д. МЕТОДИ РЕАЛІЗАЦІЇ ПРИКЛАДНИХ ЗАДАЧ ТЕПЛОМАСООБМІНУ ДЛЯ СКЛАДНИХ СИСТЕМ / Д. ЛЕВКІН //Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах. № 2( 74).-Хмельницький: Хмельницький національний університет.,2023.-c.179-182; Бібліогр.:11 назв.В статті дослідженні деякі аспекти розв’язання прикладних задач тепломасоообміну в технічних системах. Розглянуті нелокальні крайові задачі для неоднорідних і однорідних псевдодиференціальних рівнянь в частинних похідних з інтегральними крайовими умовами, запропоновані методи розв’язання нелокальної неоднорідної крайової задачі, а також визначені і доведені умови коректності цієї задачі в класі нескінченно-диференційованих узагальнених функцій степеневого зростання. Доведені умови існування коректної задачі для севдодиференціальних рівнянь з інтегральною крайовою умовою
Напівпровідники
62(06)

УДК 621.315

   Кичак В. М. Розробка математичної моделі перемикання електричної поляризації у сегнетоелектричному конденсаторі / В. М. Кичак, І. О. Барабан //Вісник ВПІ.-2021.-№2.-c.126-135. - Библиогр.: 8 назв.Розроблено математичну модель перемикання електричної поляризації сегнетоелектричного конденсатора, яка адекватно відображає процеси запису та зчитування в елементах FRAM-пам’яті і придатна для розробки автоматизованого проектування сегнетоелектричних накопичувальних елементів і пристроїв.
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315.592

   Г.П. Гайдар Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки / Гайдар Г.П. //Доповіді Національної академії наук України.-2020.-№5.-c.42-51.- Бібл.: 14 назв.Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Встановлено, що високотемпературний відпал протягом 72 год зразків Si, незалежно від способу легування домішкою фосфору, сприяє генерації глибоких донорних центрів, як при повільному, так і при швидкому охолодженні, й істотно знижує концентрацію носіїв заряду.
Напівпровідники
621.315.592

УДК 621.315

   Говоров П.П. Поліпшення математичної моделі розрахунку та прогнозування втрат електроенергії на основі нейронних мереж / П.П. Говоров, В.Л. Бакулевський //Вісник Вінницького політехнічного інституту.-2018.-№2 (137).-c.14-19. - Библиогр.: 16 назв.Сьогодні основним формалізованим засобом аналізу функціонування та управління режимами є математичне моделювання, основою якого є набір математичних моделей, які адекватно відображають досліджувані процеси. Зростаюча складність електричних мереж, тенденція до всебічного розгляду процесів, що відбуваються в ній, посилення вимог до ефективності розрахунків приводить до об’єктивних труднощів в побудові і застосуванні традиційних багатовимірних нелінійних математичних моделей.
Напівпровідники
61.315

УДК 621.315

   Черкашина В.В. Розвиток повітряних ліній електропередачі з застосуванням волоконно-оптичних кабелів / В.В. Черкашина //Вісник Вінницького політехнічного інституту.-2018.-№1(136).-c.30-33. - Библиогр.: 9 назв.Обгрунтовано доцільність застосування волоконно-оптичних кабелів при розвитку повітряних ліній електропередачі, що дозволить розширити функціональні можливості об'єкта за рахунок створення систем моніторингу параметрів ліній та автоматизованих систем диспетчерського керування.
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

    Усовершенствование метода создания контактов с барьером шоттки к пористым полупроводникам / Оксанич А.П., Притчин С.Э., Когдась М.Г. и др. //Радиоэлектроника и информатика.-2018.-№3.-c.24-28. - Библиогр: 12 назв.Устанавливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной области, а также временем и температурой отжига контактной структуры.
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

    VIII Українська наукова конференція з фізики напівпроводників УНКФН-8. Книга 1 (Ужгород, 2-4 жовтня, 2018).-Ужгород,2018.-306 c.
Цена: 100 грн.

Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

    VIII Українська наукова конференція з фізики напівпроводників УНКФН-8. Книга 2 (Ужгород, 2-4 жовтня, 2018).-Ужгород,2018.-306-550 c.
Цена: 100 грн.

Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

    Теоретична та експериментальна оцінка діелектричної проникності вільноспечених композитів AlN-Mo на частотах 3,2-10,0 ГГц / В.І. Часник, І.П. Фесенко, О.М. Кайдаш та ін. //Сверхтвердые материалы.-2017.-№4.-c.16-31. - Библиогр. : 39 назв.Наведено теоретичне оцінюванння діелектричної проникності системи ізолятор-сфероїдальні зерна провідника і її порівняння з експериментально визначеним значенням у мікрохвильовій області для вільноспочених композиційних матеріалів AlN-Mo.
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

    Магнітом'які прецизійні термомагнітні матеріали: отримання, властивості та застосування в техніці (огляд) / Я.А. Ситник, В.А. Маслюк, С.Б. Котляр та ін. //Порошковая металлургия.-2016.-№11/12.-c.30-40. - Бибилогр. : 20 назв.Наведено огляд сучасних магнітом'яких термомагнітних матеріалів, які використовують в електротехніці, електроніці і приладобудуванні.
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315(085.5) СП

    Добро пожаловать в мир инновеций LAPP GROUP: каталог.-Харьков,2013.-27 c.
Цена: б.ц.

Напівпровідники
621.315(085.5)

УДК 621.315

    Виробництво напівпровідникових матеріалів: підручник: +ЭБ / І.Ф. Червоний та ін..-Запоріжжя: ЗДІА,2012.-176 c.
Цена: 70 грн.

Напівпровідники
621.315.5(07)+669.776(07)+669.783(07)+669.782(07)

УДК 621.315

    Сканирующая туннельная спектроскопия слоистых полупроводниковых кристаллов In4Se3 / P.V. Galiy and oth. //Хімія металів і сплавів.-2011.-№1-2 , Vol.4.-c.1-5 (Англ.)
Напівпровідники
621.315

УДК 621.315

   Сосков, А.Г. Усовершенствованные силовые коммутационные полупроводниковые аппараты низкого напряжения: монография: ЭБ / А.Г. Сосков.-Харьков: ХНАГХ,2011.-156 c.
Цена: б.ц.

Напівпровідники
621.315

УДК 621

   Вакуленко, О.В. Люмінесценція напівпроводників: навчальний посібник / О.В. Вакуленко, О.І. Даценко.-К: ВПЦ "Київський університет",2011.-224 c.
Цена: 91 грн.

Напівпровідники
621.315(07)

УДК 621.315

    Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва: монографія: +ЭБ / І.Ф. Червоний.-Запоріжжя: ЗДІА,2009.-488 c.
Цена: 80 грн.

Напівпровідники
621.315+621.54+620.9+669.782

УДК 621.315

   Егоров С.Г. и др. Конвекционные течения в расплавах полупроводников: Монография: +ЭБ / С.Г. Егоров, В.И. Пожуев, И.Ф. Червоный.-Запорожье: ЗГИА,2007.-154 c.
Цена: 190 грн.

Напівпровідники
621.315.5:536.2

УДК 621.3 СП

   Сафонов В.В. Мікрохвильові пристрої з активними резонаторами: Автореферат дис. на здобуття наук. ступеня к.т.н.: Спец. 05.12.07 - антени та пристрої мікрохвильової техніки.-Харків: Національний університет радіоелектроніки,2007.-20 c.
Цена: Б.ц.

Напівпровідники
621.382

УДК 621.382 СП

   Волківський В.Б. Напівпроводникові перетворювачі з підвищеною ефективністю заряду акумуляторів імпульсними асиметричними струмами: Автореферат дис. на здобуття наук. ступеня к.т.н.: Спец. 05.09.12 - напівпроводникові перетворювачі електроенергії.-Київ: НТУ "Київський політехнічний інститут",2007.-20 c.
Цена: Б.ц.

Напівпровідники
621.382

УДК 621.315 СП

    ОАО "Украинский графит": Только вместе мы придем к успеху.-Запорожье: Укрграфит,2006.-28 c.
Цена: Б/ц

Напівпровідники
621.315.5(09)

УДК 621.31 СП

   Шмалій С.Л. Макромоделювання пристроїв напівпровідникових перетворювачів електроенергії: Автореферат дис. на здобуття наукового ступеня к. т. н.: Спец. 05.09.12 - Напівпровідникові перетворювачі електроенергії.-К: НТТУ КПІ,2006.-20 c.
Цена: Б.ц.

Напівпровідники
621.314

УДК 621.315

   Плаксин, С.В. Физические основы построения быстродействующих информационно-управляющих систем на базе полупроводниковых элементов с горячими электронами / С.В. Плаксин.-Севастополь: Вебер,2006.-320 c.
Цена: 40 грн.

Напівпровідники
621.315

УДК 621.382

   Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники.-Москва: Телеком,2005.-392 c.
Цена: 63 грн.25 коп.
Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы.
Напівпровідники
621.382

Инв.N :
67498

УДК 669.2/.8

    Состояние и перспективы развития производства полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.5
Напівпровідники
669.2/.8

УДК 669.2/.8

    Свойства полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.17
Напівпровідники
669.2/.8

УДК 669.2/.8

    Технология полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.28
Напівпровідники
669.2/.8