Список знайдених записів в каталогі по тематичній підбірці "Напівпровідники" : 385
УДК 621.315
Кичак В. М. Розробка математичної моделі перемикання електричної поляризації у сегнетоелектричному конденсаторі / В. М. Кичак, І. О. Барабан //Вісник ВПІ.-2021.-№2.-c.126-135. - Библиогр.: 8 назв.Розроблено математичну модель перемикання електричної поляризації сегнетоелектричного конденсатора, яка адекватно відображає процеси запису та зчитування в елементах FRAM-пам’яті і придатна для розробки автоматизованого проектування сегнетоелектричних накопичувальних елементів і пристроїв.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315.592
Г.П. Гайдар Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки / Гайдар Г.П. //Доповіді Національної академії наук України.-2020.-№5.-c.42-51.- Бібл.: 14 назв.Досліджено кристали n-кремнію, леговані домішкою фосфору як традиційним металургійним способом (у процесі вирощування через розплав), так і методом ядерної трансмутації (перетворення ізотопів кремнію у процесі захоплення ними теплових нейтронів). Встановлено, що високотемпературний відпал протягом 72 год зразків Si, незалежно від способу легування домішкою фосфору, сприяє генерації глибоких донорних центрів, як при повільному, так і при швидкому охолодженні, й істотно знижує концентрацію носіїв заряду.
Напівпровідники
621.315.592
УДК 621.315
Говоров П.П. Поліпшення математичної моделі розрахунку та прогнозування втрат електроенергії на основі нейронних мереж / П.П. Говоров, В.Л. Бакулевський //Вісник Вінницького політехнічного інституту.-2018.-№2 (137).-c.14-19. - Библиогр.: 16 назв.Сьогодні основним формалізованим засобом аналізу функціонування та управління режимами є математичне моделювання, основою якого є набір математичних моделей, які адекватно відображають досліджувані процеси. Зростаюча складність електричних мереж, тенденція до всебічного розгляду процесів, що відбуваються в ній, посилення вимог до ефективності розрахунків приводить до об’єктивних труднощів в побудові і застосуванні традиційних багатовимірних нелінійних математичних моделей.
Напівпровідники
61.315
УДК 621.315
Черкашина В.В. Розвиток повітряних ліній електропередачі з застосуванням волоконно-оптичних кабелів / В.В. Черкашина //Вісник Вінницького політехнічного інституту.-2018.-№1(136).-c.30-33. - Библиогр.: 9 назв.Обгрунтовано доцільність застосування волоконно-оптичних кабелів при розвитку повітряних ліній електропередачі, що дозволить розширити функціональні можливості об'єкта за рахунок створення систем моніторингу параметрів ліній та автоматизованих систем диспетчерського керування.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315
Усовершенствование метода создания контактов с барьером шоттки к пористым полупроводникам / Оксанич А.П., Притчин С.Э., Когдась М.Г. и др. //Радиоэлектроника и информатика.-2018.-№3.-c.24-28. - Библиогр: 12 назв.Устанавливается, что качество контактов определяется, главным образом, характером распределения химических элементов в приконтактной области, а также временем и температурой отжига контактной структуры.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315
Теоретична та експериментальна оцінка діелектричної проникності вільноспечених композитів AlN-Mo на частотах 3,2-10,0 ГГц / В.І. Часник, І.П. Фесенко, О.М. Кайдаш та ін. //Сверхтвердые материалы.-2017.-№4.-c.16-31. - Библиогр. : 39 назв.Наведено теоретичне оцінюванння діелектричної проникності системи ізолятор-сфероїдальні зерна провідника і її порівняння з експериментально визначеним значенням у мікрохвильовій області для вільноспочених композиційних матеріалів AlN-Mo.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315
Магнітом'які прецизійні термомагнітні матеріали: отримання, властивості та застосування в техніці (огляд) / Я.А. Ситник, В.А. Маслюк, С.Б. Котляр та ін. //Порошковая металлургия.-2016.-№11/12.-c.30-40. - Бибилогр. : 20 назв.Наведено огляд сучасних магнітом'яких термомагнітних матеріалів, які використовують в електротехніці, електроніці і приладобудуванні.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315(085.5) СП
Добро пожаловать в мир инновеций LAPP GROUP: каталог.-Харьков,2013.-27 c.
Цена: б.ц.
Напівпровідники
621.315(085.5)
УДК 621.315
Виробництво напівпровідникових матеріалів: підручник: +ЭБ / І.Ф. Червоний та ін..-Запоріжжя: ЗДІА,2012.-176 c.
Цена: 70 грн.
Напівпровідники
621.315.5(07)+669.776(07)+669.783(07)+669.782(07)
УДК 621.315
Сканирующая туннельная спектроскопия слоистых полупроводниковых кристаллов In4Se3 / P.V. Galiy and oth. //Хімія металів і сплавів.-2011.-№1-2 , Vol.4.-c.1-5 (Англ.)
Напівпровідники
621.315
УДК 621.315
Сосков, А.Г. Усовершенствованные силовые коммутационные полупроводниковые аппараты низкого напряжения: монография: ЭБ / А.Г. Сосков.-Харьков: ХНАГХ,2011.-156 c.
Цена: б.ц.
Напівпровідники
621.315
УДК 621
Вакуленко, О.В. Люмінесценція напівпроводників: навчальний посібник / О.В. Вакуленко, О.І. Даценко.-К: ВПЦ "Київський університет",2011.-224 c.
Цена: 91 грн.
Напівпровідники
621.315(07)
УДК 621.315
Напівпровідниковий кремній: теорія і технологія виробництва: монографія: +ЭБ / І.Ф. Червоний.-Запоріжжя: ЗДІА,2009.-488 c.
Цена: 80 грн.
Напівпровідники
621.315+621.54+620.9+669.782
УДК 621.315
Егоров С.Г. и др. Конвекционные течения в расплавах полупроводников: Монография: +ЭБ / С.Г. Егоров, В.И. Пожуев, И.Ф. Червоный.-Запорожье: ЗГИА,2007.-154 c.
Цена: 190 грн.
Напівпровідники
621.315.5:536.2
УДК 621.3 СП
Сафонов В.В. Мікрохвильові пристрої з активними резонаторами: Автореферат дис. на здобуття наук. ступеня к.т.н.: Спец. 05.12.07 - антени та пристрої мікрохвильової техніки.-Харків: Національний університет радіоелектроніки,2007.-20 c.
Цена: Б.ц.
Напівпровідники
621.382
УДК 621.382 СП
Волківський В.Б. Напівпроводникові перетворювачі з підвищеною ефективністю заряду акумуляторів імпульсними асиметричними струмами: Автореферат дис. на здобуття наук. ступеня к.т.н.: Спец. 05.09.12 - напівпроводникові перетворювачі електроенергії.-Київ: НТУ "Київський політехнічний інститут",2007.-20 c.
Цена: Б.ц.
Напівпровідники
621.382
УДК 621.315 СП
ОАО "Украинский графит": Только вместе мы придем к успеху.-Запорожье: Укрграфит,2006.-28 c.
Цена: Б/ц
Напівпровідники
621.315.5(09)
УДК 621.31 СП
Шмалій С.Л. Макромоделювання пристроїв напівпровідникових перетворювачів електроенергії: Автореферат дис. на здобуття наукового ступеня к. т. н.: Спец. 05.09.12 - Напівпровідникові перетворювачі електроенергії.-К: НТТУ КПІ,2006.-20 c.
Цена: Б.ц.
Напівпровідники
621.314
УДК 621.315
Плаксин, С.В. Физические основы построения быстродействующих информационно-управляющих систем на базе полупроводниковых элементов с горячими электронами / С.В. Плаксин.-Севастополь: Вебер,2006.-320 c.
Цена: 40 грн.
Напівпровідники
621.315
УДК 621.382
Игумнов Д.В. Основы полупроводниковой электроники.-Москва: Телеком,2005.-392 c.
Цена: 63 грн.25 коп.
Приведены сведения о физических явлениях в полупроводниковых элементах, рассмотрены различные диоды, биполярные и полевые транзисторы.
Напівпровідники
621.382
Инв.N :
67498
УДК 669.2/.8
Состояние и перспективы развития производства полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.5
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Свойства полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.17
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Технология полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.28
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Производство поликристаллического кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.28
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Выращивание монокристаллов. Тепловые условия. / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.62
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Метод Чохральского / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.62
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Бстигельная зонная плавка / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.105
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Получение изделий из кремния методом литья / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.153
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Получение эпитаксиальных слоев кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.162
Напівпровідники
669.2/.8
УДК 669.2/.8
Физико- химические основы получения полупроводникового кремния / Таран Ю.Н., Куцова В.З., Червоный И.Ф. и др. //В кн: Полупроводниковый кремний:теория и технология производства..-Запорожье.,2004.-c.169
Напівпровідники
669.2/.8